محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازای تابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 01 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.

محاسبه جریان در دیود مبتنی بر نانوسیم های ZnO

در این مقاله، جهت بررسی و ترسیم منحنی مشخصه جریان-ولتاژ دیود مورد نظر، به حل معادله پیوستگی می پردازیم. برای این منظور، حل معادله با اعمال شرایط خاص در مقاله انجام می پذیرد. سپس مقادیر ولتاژ آستانه را به ازای طولهای مختلف نانو سیم و چگالی های الکترون تاریک بررسی می کنیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تغییر طول نانو سیم ها و چگالی های الکترون تاریک ، ولتاژ کاهش می یابد. همچنین جریان نیز با تغییر این دو پارامتر دارای تغییرات خواهد بود. همان طور که ملاحظه می شود، ولتاژ و جریان به طول نانو سیم ها و بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع می پردازیم.

بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های - ZnO

این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های Zno  می پردازد