تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی

این مقاله به بررسی تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی می پردازد

طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.

مقاله ای جامع در مورد نانو تکنولوژی

در این مقاله 95 صفحه ای راجع به موارد زیر خواهید خواند :

- تعریف فناوری نانو و تاریخچه آن
- مراحل فناوری نانو
- رابطه نانوتکنولوژی و معماری
- کاربرد نانوتکنولوژی در صنعت ساختمان
- شاخه های اصلی در نانو
- برخی از نتایج پژوهشها و دستیافته های این تکنولوژی

- دولتهای الکترونیک و نانو تکنولوژی

- فناوری نانو و مواد غذایی

- نانو در صنایع دریای

- نیمه پنهان نانو

# این مقاله یک بار تصحیح شده و کاملتر شد .

در ضمن چند فایل پی دی اف به آن اضافه شده با عناوین زیر :

- اخبار و مقالاتی از نانوتکنولوژی جهان

- تحقیقات نانو تکنولوژی در ایران

- جزوه آموزشی نانو به زبان ساده

- خبرنامه نانو تکنولوژی

- فناوری نانو در آمریکا

- کتاب دنیای نو دنیای نانو

کتاب فناوری نانو

فناوری نانو یکی از علوم بسیار جدید و پیشتاز و پیشرفته امروزه در جهان است که تقریبا در تمام رشته ها اعم از پزشکی، علم و مهندسی مواد، نساجی، نظامی، نفت و پتروشیمی، مهندسی و بسیاری دیگر از علوم کاربرد دارد. یادگیری این علم می تواند برای قشر در حال تحصیل و حتی تحصیل کرده امروزی بسیار مفید و موجب پیشرفت باشد. این کتاب به توضیح مختصر و مفید درباره تاریخچه نانو و علم نانو تکنولوژی، نانو مواد، روش های سنتز، کاربردها و مثال های گوناگون در زندگی روزمره پرداخته است. خواندن این کتاب به دانشجویان رشته های پزشکی و مهندسی و سایر علاقمندان به علم نانو توصیه می شود.

بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

نانوسیال به محلول سوسپانسیونی اطلاق می شود که ذرات فوق العاده ریز )کوچکتر از 100 نانومتر( در سیالی خالص به حالت تعلیق درآورده شده باشند.
با توجه به پیشرفت های اخیر در فناوری نانو، یکی از روش های نوین بهبود راندمان مبدل های حرارتی، استفاده از نانو سیالات می باشد که در دهه گذشته مطالعات تجربی و نظری فراوانی پیرامون آن در مراجع علمی صورت گرفته است. نتایج مطالعات نشان می دهد افزایش دبی و غلظت نانو سیالات تاثیر به سزایی بر افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی داشته و سایز نانو ذرات استفاده شده برای ایجاد نانوسیال در محدوده 50 - 20 نانو متر اثر مطلوب تری بر افزایش انتقال حرارت می گذارد. تغییر دمای ورودی نانو سیال به مبدل های حرارتی در محدوده 10 درجه سانتی گراد آنچنان بر ضریب انتقال حرارت موثر نمی باشد. در صورت فراهم شدن شرایط مناسب ) دبی و غلظت نانو سیال(، افزایشی در حدود 60 -% 50 % برای ضریب انتقال حرارت جابجایی نانو سیالات نسبت به سیالات پایه گزارش شده است که این افزایش چشمگیر می تواند انقلابی در هزینه های انرژی در صنایع گوناگون ایجاد نماید. هدف در این جا بررسی نقش نانو سیال در افزایش و بهبود میزان انتقال حرارت در یک مبدل حرارتی می باشد.