در این مقاله، جهت بررسی و ترسیم منحنی مشخصه جریان-ولتاژ دیود مورد نظر، به حل معادله پیوستگی می پردازیم. برای این منظور، حل معادله با اعمال شرایط خاص در مقاله انجام می پذیرد. سپس مقادیر ولتاژ آستانه را به ازای طولهای مختلف نانو سیم و چگالی های الکترون تاریک بررسی می کنیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تغییر طول نانو سیم ها و چگالی های الکترون تاریک ، ولتاژ کاهش می یابد. همچنین جریان نیز با تغییر این دو پارامتر دارای تغییرات خواهد بود. همان طور که ملاحظه می شود، ولتاژ و جریان به طول نانو سیم ها و بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع می پردازیم.
این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های Zno می پردازد