استخراج متن فارسی از تصاویر ویدئویی توسط استخراج جریان نوری ایجاد شده بین دو فریم متوالی
این مقاله به بررسی نحوه استخراج متن فارسی از تصاویر ویدئویی توسط استخراج جریان نوری ایجاد شده بین دو فریم متوالی می پردازد
پایش ویتامین 9 B با حسگر نوری نانوکامپوزیتی
در کار پژوهشی حاضر، حسگر نوری نانو کامپوزیتی با نمک دی سولفونات سدیم باتوفنانترولین، به عنوان شناساگر، با روش
- سل ژل جهت پایش مستقیم ویتامین 9 B در نمونه سرم خون انسان طراحی شده است و به منظور به دست آمدن پیک آنالیز
کمی مربوط به این ماده، جهت اندازه گیری مقادیر بسیار کم درنمونه های حقیقی، چندین پارامتر شیمیائی و دستگاهی مهم
مانند pH ، تکرار پذیری، غلظت لیگاند، غلظت هورمون، سرعت پاسخ دهی، اثر پارامترهای مزاحم و شرایط بهینه کردن مورد
بررسی قرار گرفت. غشای این حسگر، منحنی پاسخ دهی خطی در محدوده ی mol/L 0/10 با ضریب - - × 6/43 تا 01 9 ×01 5
= 1 در 3 / همبستگی 991 pH را نشان داد. زمان پاسخ دهی برای حسگر مورد نظر، 1 دقیقه با حد تشخیص mol/L -5
6/44 در ×01 nm 421 می باشد. حسگر ظراحی شده قابلیت استفاده برای 2 ماه، بدون هیچ گونه اختلاف قابل توجهی در
خصوصیات جذب در pH عملکرد را دارد و نتایج حاکی از آن است که حسگر نوری معرفی شده، دارای صحت و دقت بالایی در
پاسخ های تجزیه ای خود می باشد و قابلیت به کارگیری جهت اندازه گیری ویتامین 9 B موجود در سرم خون انسان را دارد.
طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری
در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.
استخراج متن فارسی از تصاویر ویدئویی توسط استخراج جریان نوری ایجاد شده بین دو فریم متوالی
این مقاله به بررسی نحوه استخراج متن فارسی از تصاویر ویدئویی توسط استخراج جریان نوری ایجاد شده بین دو فریم متوالی می پردازد
محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO
در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازای تابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 01 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.