گــزارش کـارآمـــوزی برق و سیستم های دیجیتال

این گزارش کارآموزی کامل در 2 فصل تنظیم شده است و برای رشته های برق و الکترونیک مناسب میباشد. گزارش کاراموزی برق و سیستم های دیجیتال شامل توضیح کامل مراحل طراحی و ساخت و همچنین تعمییر و پشتیبانی دستگاه های الکترونیکی می باشد. می توانید گزارش را بصورت فایل Word و در 57 صفحه کاملا ویرایش و تنظیم شده و آماده تحویل از پایین همین صفحه (در انتهای توضیحات) دانلود نمایید.

به طور عمده سه بخش مرتبط به قرار زیر می باشند:

1- تولید کنندگان قطعات الکتریکی و تولید کننده گان دستگاه های الکترونیکی که تولیدات آنها در این شرکت در معرض فروش قرار می گیرد.

2- بخش طراحی و ساخت دستگاه های الکترونیکی که در این شرکت توسط مهندسان مجرب کار طراحی و ساخت پروژه ها برای ارگانها، شرکت هاو افراد شخصی صورت می گرفت.

3- بخش تعمیرات و پشتیبانی دستگاه های تولیدی و همچنین تولیدات دیگر شرکت ها که در این شرکت در معرض عرضه قرار می گرفت.

فهرست مطالب

فصل اول  آشنایی با محل کارآموزی

1-1 آشنایی کلی با مکان کارآموزی.. 2

فصل دوم  فعالیت های انجام شده

2-1 ارزیابی بخشهای مرتبط با رشته علمی کارآموز. 4

2-2 مقدمه. 4

2-3 آشنایی با ساخت پیوند p-n. 5

2-4 رشد رونشستی.. 5

2-5 ترانزیستورها8

2-5-1 کاربرد. 8

2-5-2 عملکرد. 8

2-5-3 انواع. 9

2-6 ترانزیستور دوقطبی پیوندی.. 9

2-7 ترانزیستور اثر میدان پیوندی.. 9

2-8 انواع ترانزیستور پیوندی.. 9

2-8-1 pnp. 9

2-8-2 npn. 9

2-9 شیوه ی اتصال ترازیستورها10

2-10 ترانزیستور اثر میدان MOS. 11

2-10-1 ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت... 11

2-11 شکل و پایه های ترانزیستورها12

2-12 آی سی های سری 7400. 18

2-12-1 نوع TTL.. 18

2-12-1-1 تغذیه گروه TTL.. 19

2-12-1-2 میزان ولتاژ خروجی در حالت 1 و 0. 19

2-12-1-3 جریان خروجی خانواده گروه TTL.. 19

2-12-2 نوع CMOS. 19

2-12-2-1 میزان ولتاژ خروجی در حالت 1 و 0. 19

2-12-2-2 جریان خروجی خانواده گروه CMOS. 20

2-13 خازن.. 20

2-14 انواع حسگرها25

2-15 حسگرهای مورد استفاده در رباتیک... 26

2-15-1 حسگرهای تماسی.. 26

2-15-2 حسگرهای هم جواری.. 27

2-15-3 حسگرهای دوربرد. 27

2-15-4 حسگر نوری.. 27

2-16 آشنائی با LCD.. 28

2-17رله ها31

تغذیه ترانسفورماتوری.. 32

2-18 سیستم های دیجیتال.. 35

2-19 مدارهای ترتیبی.. 37

2-20 حافظه های الکترونیکی.. 39

2-21 کار با مولتی متر. 41

2-22 آشنایی با دستگاه اسیلوسکوپ.. 43

2-23 آی سی 555. 47

2-24 تشریح پایه های درایور موتور ال 298 L298. 50

طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.

بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین

این مقاله به بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین می پردازد

تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره

دراین مقاله، ما ترانزیستور تکالکترونی 1  SET مبتنی بر جزایر از جنس نقطهی کوانتومی 2  QD ( نیمه هادی)سیلیکونی را برای عملکرد در دمای اتاق مدلسازی میکنیم و نشان میدهیم که کوچک شدن اندازه جزیره کوچکتراز 11 نانومتر درترانزیستور تکالکترونی 3 SET  باعث میشود که این نانو ترانزیستور قابلیت استفاده در دمای اتاق را داشته باشد. بنابراین کوچک شدن اندازه جزیره نتایجی از قبیل گسسته شدن سطوح انرژی  QD با سطوح انرژی گسسته و همچنین اثر کوپل شدن 4 QD به اتصالات فلزی که سبب پهنشدگی سطوح انرژی میشود را در پی خواهد داشت که ما اثرات این دو پیامد را بر عملکرد SET مورد بررسی قرار خواهیم داد. ما برای سطوح انرژی گسسته، مقادیر متفاوتی را در نظر گرفته و نشان خواهیم داد که نرخ جریان تونلزنی برای هر سطح انرژی متفاوت خواهد بود. در نتیجه برای بهدست آوردن این تفاوت در میزان نرخ تونل زنی، یک عبارت برای نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می آوریم و بر مبنای آن مشخصات هدایت مربوط به SET مبتنی بر QD سیلیکونی را شبیهسازی و مورد تحلیل قرار میدهیم و همچنین با استفاده از شبیهساز سیمون 5 ، مشخصات رسانایی را برای SET مورد نظر و در ولتاژهای بایاس اعمالی متفاوت شبیهسازی میکنیم.

نیم رساناها

عنوان مقاله : نیمه رسانا ها

قالب بندی : word, PDF

شرح مختصر : نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم – متر کوا رتز1012 اهم – متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است. جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است. دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد. ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

سرفصل :

بیان ساده شده نظریه نیمرسانا

دیودهای نیمرسانا

دیودهای اتصال- نقطه ای

انواع دیودها و کاربرد آن ها

ترانزیستور

طرز کار ترانزیستور

اتصال بیس- مشترک

مشخصه های ایستایی ترانزیستور

مشخصه استایی بیس- مشترک

مشخصه خروجی بیس – مشترک

مشخصه ایستایی امیتر- مشترک

لامپ های گرمایونی

گسیل گرمایونی

مواد کاتود

گرم کردن کاتود

لامپ سه قطبی

پارامترها و مشخصه های ایستایی سه قطبی

لامپ پرتوکاتودی

کانونی کننده مغناطیسی و انحراف مغناطیسی

لامپهای تلویزیون رنگی

تقویت کننده های سیگنال کم دامنه

مولدهای شکل موج

مدار نوسانی