دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier
دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier
(قابل ویرایش )
فصل اول – مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم.
فصل دوم – کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و تکنولوژی CMOS به کمک مراجع فارسی موجود خواهیم پرداخت .
فصل سوم : در این فصل ترجمه ی مقاله اول با عنوان " تقویت کننده هدایت انتقالی 154PSRR(CMOS) با سطح پایین توان و فرکانس 2GHZبا بهره واحد" آورده شده است ، در این مقاله به توضیح یک تقویت کننده عملیاتیCMOS در فرکانس بالا می پردازیم که با تکنولوژی طراحی می شود.
فصل چهارم: در این فصل ترجمه ی مقاله دوم با عنوان " تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS " آورده شده است ، این مقاله ارائه دهنده تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین است که از المان CMOS می باشد.این تکنیک مداری ولتاژ سطح پایین در آپ امپ سوئیچ شده مورد استفاده قرار می گیرد و مدار نویز سطح پایین منجر به عملکرد تکنیک های خود صفر شونده و برشگر پایدار در منبع ولتاژ سطح پایین می شود.
فصل پنجم – نتیجه گیری: در این فصل همان گونه که از عنوان فصل بر می آید، به نتیجه گیری در خصوص موضوع پایان نامه می پردازیم.
مراجع: در این بخش نام منابع و مراجعی که در تدوین این پایان نامه استفاده شده را، آورده ایم.
خلاصه
تقویت کننده های عملیاتی، تقویت کننده های کوپلمستقیم بوده، که دارای گین (Gian) خیلی زیادی می باشند. که مقدار این گین را با کمکمقاومت فیدبک ( مقاومتی که بخشی از ولتاژ و یا جریان خروجی را به ورودی منتقل میکند) می توان کنترل نمود. این تقویت کننده ها اکثراً در مدارات خطی بکار می روند واغلب در مدارات غیرخطی نیز از آنها استفاده می شود.
یک تقویت کننده عملیاتی ایده آل بایستی شرایط زیر را دارا باشد.
1) مقاومت ورودی آن بی نهایت باشد (Zi=Ri= ∞).
2) مقاومت خروجی آن صفر باشد (Zo=Ro= 0).
3) گین ولتاژ حلقه باز آن بی نهایت باشد (Av= -∞).
4) عرض باند آن بی نهایت باشد (BW= ∞).
5) هنگامی که اختلاف ولتاژ در ورودی صفر است، ولتاژ خروجی نیز صفر باشد.
6) منحنی مشخصه آن با درجه حرارت تغییر نکند.
...
فرمت : DOC , PDF
تعداد صفحه : 40
حجم : 2.5 مگابایت
پایان نامه CMOS Amplifier
عنوان پایان نامه:CMOS Amplifier
دانشکده برق - پروژه کارشناسی
قالب بندی: word
تعداد صفحات: 61
شح مختصر:
فصل اول – مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم.
فصل دوم – کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و تکنولوژی CMOS به کمک مراجع فارسی موجود خواهیم پرداخت .
فصل سوم : در این فصل ترجمه ی مقاله اول با عنوان " تقویت کننده هدایت انتقالی 154PSRR(CMOS)با سطح پایین توان و فرکانس 2GHZبا بهره واحد" آورده شده است ، در این مقاله به توضیح یک تقویت کننده عملیاتیCMOS در فرکانس بالا می پردازیم که با تکنولوژی طراحی می شود.
فصل چهارم: در این فصل ترجمه ی مقاله دوم با عنوان " تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS " آورده شده است ، این مقاله ارائه دهنده تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین است که از المان CMOS می باشد.این تکنیک مداری ولتاژ سطح پایین در آپ امپ سوئیچ شده مورد استفاده قرار می گیرد و مدار نویز سطح پایین منجر به عملکرد تکنیک های خود صفر شونده و برشگر پایدار در منبع ولتاژ سطح پایین می شود.
فصل پنجم – نتیجه گیری: در این فصل همان گونه که از عنوان فصل بر می آید، به نتیجه گیری در خصوص موضوع پایان نامه می پردازیم.
مراجع: در این بخش نام منابع و مراجعی که در تدوین این پایان نامه استفاده شده را، آورده ایم.
ضمائم: و در این قسمت اصل مقالات انگلیسی را قرار داده ایم.
فهرست مطالب:
چکیده
کلید واژه
1.مقدمه
2.بیان طرح
2.1- توضیح مدار
2.2- مدار بافر جریان
3. نتیجه شبیه سازی
4. نتیجه گیری
فصل چهارم
"تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS"
عنوان
1.مقدمه
2.تقویت کننده با سطح نویز پایین
2.1.مفهوم اصلی
2.2. معماری
2.3.نتایج آزمایشگاهی
3. ADC تقریبی متوالی
3.1. مفهوم کلی برای عملکرد با ولتاژ پایین ADC
3.2. معماری
3.3.طرح و نتایج آزمایشگاهی مدار
4. نتیجه گیری
فصل پنجم
"نتیجه گیری"
خلاصه
اتصالات تغذیه تقویت کننده های عملیاتی
شکل تقویت کننده های عملیاتی و قراردادها
ولتاژ تفاضلی تقویت کننده های عملیاتی
اشباع
- نتیجه گیری مقاله ی اول
- نتیجه گیری مقاله ی دوم
مراجع
ضمائم
مقالات انگلیسی