بررسی پارامترهای تقویت روی سیستم نوسانگر تقویت کننده بخار فلز طلا

کلیه لیزرهای گازی و نیز لیزرهای بخار فلزی از بهره نسبتاً بالایی برخوردارند، یکی از روشهای افزایش
توان خروجی پرتوی لیزر استفاده از سیستم نوسانگر تقویت کننده لیزری است که در آن به طور -
همزمان از چند لیزر استفاده می شود. یکی از این لیزرها به عنوان نوسانگر اصلی و لیزر یا لیزرهای دیگر
به عنوان تقویت کننده توان در نظر گرفته می شوند. دو پارامتر بهره سیگنال کوچک و شدت اشباع از
پارامترهای مهم تقویت لیزر هستند که در طراحی و تعیین توان خروجی لیزر نقش مؤثری ایفا میکنند.
اصولا لیزرهای گازی بهره بالا به دو گونهی با پهن شدگی همگن و نا همگن نظیر لیزر تقسیم بندی می-
شوند. از طرفی لیزرهای دسته اول معمولا در فرکانس های پایین و لیزرهای دسته دوم در فرکانس های
بسیار بالا در حد چندین کیلوهرتز عمل میکنند، در این پژوهش وابستگی پارامترهای تقویت به فرکانس
عملکرد آن بررسی میگردد.

دانلود تحقیق آماده در قالب word با عنوان تقویت کننده ۱۳ ص

چکیده: یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند. عبارات متن: مدارات مجتمع آنالوگ BiCMOS- دستیابی چندگانه تقسیم کد، آمپلی فایرهای قدرت، آمپلی فایرهای فرکانس رادیویی. 1- مقدمه تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند. PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند. بهرحال مورد اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است. شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.

طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتی استفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و 7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است.

دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier

دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier

(قابل ویرایش )

فصل اول – مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم.

فصل دوم – کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و تکنولوژی CMOS به کمک مراجع فارسی موجود خواهیم پرداخت .

فصل سوم : در این فصل ترجمه ی مقاله اول با عنوان " تقویت کننده هدایت انتقالی 154PSRR(CMOS) با سطح پایین توان و فرکانس 2GHZبا بهره واحد" آورده شده است ، در این مقاله به توضیح یک تقویت کننده عملیاتیCMOS در فرکانس بالا می پردازیم که با تکنولوژی طراحی می شود.

فصل چهارم: در این فصل ترجمه ی مقاله دوم با عنوان " تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS " آورده شده است ، این مقاله ارائه دهنده تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین است که از المان CMOS می باشد.این تکنیک مداری ولتاژ سطح پایین در آپ امپ سوئیچ شده مورد استفاده قرار می گیرد و مدار نویز سطح پایین منجر به عملکرد تکنیک های خود صفر شونده و برشگر پایدار در منبع ولتاژ سطح پایین می شود.

فصل پنجم – نتیجه گیری: در این فصل همان گونه که از عنوان فصل بر می آید، به نتیجه گیری در خصوص موضوع پایان نامه می پردازیم.

مراجع: در این بخش نام منابع و مراجعی که در تدوین این پایان نامه استفاده شده را، آورده ایم.

خلاصه

تقویت کننده های عملیاتی، تقویت کننده های کوپلمستقیم بوده، که دارای گین (Gian) خیلی زیادی می باشند. که مقدار این گین را با کمکمقاومت فیدبک ( مقاومتی که بخشی از ولتاژ و یا جریان خروجی را به ورودی منتقل میکند) می توان کنترل نمود. این تقویت کننده ها اکثراً در مدارات خطی بکار می روند واغلب در مدارات غیرخطی نیز از آنها استفاده می شود.

یک تقویت کننده عملیاتی ایده آل بایستی شرایط زیر را دارا باشد.
1) مقاومت ورودی آن بی نهایت باشد (Zi=Ri= ∞).
2) مقاومت خروجی آن صفر باشد (Zo=Ro= 0).
3) گین ولتاژ حلقه باز آن بی نهایت باشد (Av= -∞).
4) عرض باند آن بی نهایت باشد (BW= ∞).
5) هنگامی که اختلاف ولتاژ در ورودی صفر است، ولتاژ خروجی نیز صفر باشد.
6) منحنی مشخصه آن با درجه حرارت تغییر نکند.

...

فرمت : DOC , PDF

تعداد صفحه : 40

حجم : 2.5 مگابایت

مبانی طراحی ، تعمیر و نگهداشت نوار نقاله های لاستیکی

عنوان تحقیق: مبانی طراحی، تعمیر و نگهداشت نوار نقاله های لاستیکی

فرمت فایل: word

تعداد صفحات: 68

شرح مختصر:

هدف از این پروژه بررسی و شناخت ساختمان انواع مختلف سیستمهای انتقال دهنده ی مواد بوده که ضمن بررسی عملکرد آنها اقرام به انجام محاسبات لازم جهت طراحی سیستمهای انتقال دهنده ی مواد پرداخته و نقشه های اجرایی مرتبط و نحوه ی چیدمان را به انجام میرساند

فهرست مطالب

چکیده1

پیشگفتار. 2

فصل 1. 3

نوار نقاله و اجزاء آن. 3

ضخامت، نوع آمیزه و شکل سطح لاستیک روکش نوار. 4

تقویت کننده ها6

فصل 2. 8

عرض، سرعت، زاویه شیب، تناژ یا ظرفیت حمل بار نوار. 8

زاویه شیب نوار. 10

تناژ یا ظرفیت حمل بار نوار. 11

فصل 3. 15

ماشین نقاله و اجزاء آن. 15

فصل 4. 19

محاسبة کششهای وارد بر نوار نقاله و محاسبة توان موتور. 19

نمودار کششهای وارد بر نوار نقاله نمودار تشریحی آنها24

انواع ماشین نقاله و فرمول های محاسبة کششهای وارد بر نوار آنها25

فصل 5. 42

شرایط انبار و نگهداری، تعیین متراژ و روش حمل نوار. 42

شرایط انبار و نگهداری نوار. 42

روش حمل نوار. 44

فصل 6. 45

روشهای آپارات نوار. 45

فصل 7. 49

عیب یابی دستگاه نوار نقاله و راههای چاره آنها49

فصل 8. 54

طراحی برخی قسمتهای ماشین نقاله. 54

محاسبه فاصله درام سر تا آخرین هرزگرد در نوارهای ناودانی. 56

فصل 9. 58

نمایش استاندارد نوار نقاله و جداول تبدیل آحاد بین المللی. 58

منابع و استانداردهای نوارنقاله. 62

منابع. 64

منابع لاتین 65