پـــایان نامه بررسی ساختار نسلهای موبایل ( اول، دوم و سوم)

پیشگفتار

امروزه سیستمهای رادیویی سیار نقش مهمی در فعالیتهای بازرگانی، تجاری، امور مراقبتی و حفاظت عمومی و زندگی روزمره عموم افراد ایفا می‏کنند. این سیستمها موجب کاهش هزینه، صرفه جویی در انرژی و افزایش راندمان در زمینه‏های مختلف می شوند.

در ایران، نیز از سال 1992 بهره‏برداری از سیستمهای مخابرات سیار آغاز شده است. سیستم کنونی مخابرات سیار در کشورمان، سیستم GSM ( نسل دوم) می‏باشد و استفاده از سیستمهای WCDMA (نسل سوم) در آینده از جمله طرحهای شرکت مخابرات کشورمان می‏باشد. با این حال منبع جامع و مختصری از این سیستمها و استانداردهای مربوط در دسترس نیست.

در مورد سیستمهایی مانند GSM وCDMA و بطور کلی در هر سیستم بی‏سیم دیگری، شاید مشکلترین قسمت در فهم و یادگیری اولیه سیستم، وجود انبوهی از لغات انحصاری، تخصصی و فنی و اختصارات ویژه این سیستمها است.

در این تحقیق سعی شده که با ترجمه و گردآوری و سازماندهی و تفصیل مطالب پراکنده‏ای که در کتب و مقالات مخابراتی مربوطه آمده است ( که از جدیدترین کتب و مقالات موجودمی‏باشد)، مجموعه‏ای تهیه شود که علاوه بر تشریح کامل ساختار کلی مهمترین سیستمهای مخابرات سیار موجود، بسیاری از اصطلاحات و اختصارات مربوط به این استانداردها نیز بطور واضح بیان شوند. در اینجا، ساختار نسلهای موبایل ( اول، دوم و سوم) و مقایسه آنها با هم و علل گرایش به سیستمهای نسل سوم مورد بررسی قرار گرفته است و مطالعه آن می‏تواند برای محققان سودمند و برای مبتدیان راه‏گشا باشد.

 

تعداد صفحات 180 word

 

 

  • فصل 1
  • معرفی سیستمها و شبکه‏های سلولی مخابرات سیار
  • سیستمهای مخابرات سیار
  • مقدمه
  • اصول سیستم های رادیویی موبایل
  • فرکانسهای بهره برداری و نوع مدولاسیون
  • سیرتکاملی روشهای احضارگیرنده سیار
  • سیستمCTCSS1
  • سیستم احضار انتخابی
  • سیستم های شماره گیری
  • استفاده اشتراکی از کانالهای رادیویی
  • دستیابی چند گانه و مفاهیمCDMA , FDMA , TDMA
  • تکنیک TDMA
  • تکنیک FDMA
  • تکنیک CDMA
  • شبکه های سلولی مخابرات سیار
  • کلیات طرح سلولی شبکه‏ها
  • شکل سلول ها در طرح اولیه
  • نحوه توزیع فرکانس
  • تداخل
  • تداخل هم کاناله
  • تداخل باکانال مجاور
  • الگوی تکرار فرکانس
  • تخصیص کانال
  • پاشیدگی زمانی
  • نسبت C/R
  • موانع محیطی
  • روشهای کاهش پاشیدگی زمانی
  • مفهوم کنترل توان دریافتی برای کاهش تداخل
  • مفاهیم ترانکینگ و درجه سرویس(GOS)
  • زمان شروع (Setup time )
  • مکالمه بلوکه شده ( Blocked call )
  • زمان نگهدارنده ( Holding time )
  • شدت ترافیک ( Traffic intensity )
  • بار( Load )
  • درجه سرویس ( Grade of servises ) Gos
  • نرخ تقاضا ( Request Rate )
  • سیستمهای ماهواره‏ای مخابرات‏سیار
  • فصل 2
  • مروری بر سیستم های نسل اول و نگاهی به سیستمAMPS
  • مقدمه
  • شبکه آنالوگ
  • سیگنالینگ در سیستم های آنالوگ
  • آماده سازی سیگنال آنالوگ
  • فشرده ساز
  • فیلتر پیش تآکید
  • محدود کننده
  • فیلترها
  • جمع کننده با SAT
  • شماره های شناسایی موبایل و ایستگاه پایه در AMPS
  • شماره شناسایی موبایل (MIN )
  • شماره سریال الکترونیکی (ESN)
  • شماره مارک کلاس ایستگاه (SCM )
  • مشخص کننده سیستم یا مشخص کننده شبکه SID ) یا NID )
  • کد مشخصه دیجیتال (DCC)
  • کانالهای فرکانسی
  • سیستم AMPS گسترده
  • نگاهی بر عملیات تعویض کانال در سیستم های نسل اول
  • فصل 3
  • بررسی سیستم GSM
  • مقدمه‏ای بر GSM
  • پردازش سیگنال درGSM و ساختار فرستنده و گیرنده
  • A/D (مبدل آنالوگ به دیجیتال)
  • Segmentation (قطعه بندی کننده)
  • Speech coder (کد کننده صحبت)
  • Channel coder ( کد کننده کانال)
  • Interleaving (لابلا کننده بیتها)
  • Ciphering (رمز کردن)
  • Burst formatting
  • عناصر تشکیل دهنده شبکه GSM
  • اجزائ شبکه عمومی زمینی سیار (( PLMN
  • ایستگاه سیار(MS )
  • واحد ایستگاههای مرکزی( (BSS
  • ایستگاه فرستنده پایه(BTS)
  • ایستگاه کنترل کننده پایه(BSC)
  • واحد تطبیق و تبدیل نرخ بیت(TRAU )
  • مرکز سوئیچینگ موبایل (MSC)
  • بانک اطلاعات دائمی موقعیت( (HLR
  • بانک اطلاعات موقتی موقعیت (VLR)
  • مرکز تصدیق صحت (AUC)
  • ثبات شناسایی هویت تجهیزات (EIR)
  • مرکز عملیات و نگهداری OMC
  • مرکز مدیریت NMC ) )
  • رابطها در GSM
  • زیرسیستمهای GSM
  • زیرسیستم رادیویی
  • زیرسیستم شبکه
  • زیرسیستم پشتیبانی و بهره برداری
  • کانالهای ارتباطات رادیویی موبایل
  • انواع کانال در GSM
  • کانالهای فیزیکی
  • کانالهای منطقی
  • کانالهای ترافیک(TCH)
  • کانالهای کنترل CCH
  • کانالهای پخش اطلاعات ( BCH )
  • کانالهای تصحیح فرکانس (FCCH )
  • کانال سنکرون سازی (SCH)
  • کانال پخش کنترل ( BCCH)
  • کانانهای فراخوانی ( PCH )
  • کانال دستیابی به روش تصادفی ( RACH )
  • کانال دستیابی کمکی ( AGCH )
  • کانالهای واگذاری ( DCCH)
  • کانالهای کنترل واگذاری (SDCCH )
  • کانالهای کنترل اشتراکی (SACCH)
  • کانالهای کنترلی اشتراکی سریع ( FACCH )
  • بسته (Burst )
  • بسته عادی
  • بسته تصحیح فرکانس (FB)
  • بسته سنکرون سازی ( SB )
  • بسته دستیابی
  • بسته خالی
  • نگاشت کانال منطقی به کانال فیزیکی
  • بررسیTS0 از کاریرC0 حالت DOWNLINK
  • بررسی TS0 از کاریر C0 در حالت UPLINK
  • بررسی TS1 از کاریر C0 در حالت DOWNLINK
  • بررسی TS1 از کاریر C0 در حالت UPLINK
  • شماره های شناسایی موبایل
  • شماره شناسایی مشترک (MSISDN)
  • شماره شناسایی موبایل (IMSI)
  • شماره شناسایی جستجو (MSRN)
  • شماره شناسایی موقتی موبایل (TMSI)
  • شماره شناسایی تجهیزات
  • شماره شناسایی موقعیت محلی (LAI)
  • شماره شناسایی سلول ( (CGL
  • شماره شناسایی ایستگاه اصلی (BSIC)
  • ارتباطات موبایل در شبکه مخابراتی
  • وضعیتهای موبایل
  • در خواست مکالمه از سوی موبایل
  • درخواست مکالمه از سوی شبکه
  • تعویض کانال (Handoff) در GSM
  • الگوریتم مقدماتی برای تعویض کانال
  • معیارهای کارآیی الگوریتمهای تعویض کانال
  • الگوریتم میانگین گیری AA
  • الگوریتم هیسترزیس HA
  • الگوریتم میانگین گیری هیسترزیس (HAA )
  • تعویض کانال با بیش از دو ایستگاه پایه
  • حساسیت نسبت به تغییر سرعت واحد متحرک
  • فصل 4
  • CDMA باند باریک و استاندارد IS95 (cdma One)
  • مقدمه
  • مدولاسیون در CDMA
  • شناخت کد در CDMA در دستیابی چند گانه کد
  • کانالهای کدلینک پیش رو
  • کانال پایلوت
  • کانال سنکرون سازی
  • کانال فراخوانی
  • سنکرون کردن لینک پیش رو
  • کانالهای لینک معکوس
  • فرآیند مکالمه (چهارحالته)
  • عملیات ثبت در CDMA
  • ثباتهای مستقل
  • ثباتهای غیر مستقل
  • نحوه تعویض کانال (HandOff) در CDMA
  • فرآیند جستجوی پایلوت
  • تحلیل مقایسه کانال نرم در CDMA و تعویض کانال سخت در GSM
  • مقایسه سیستمهای استاندارد AMPS، GSM،CDMA
  • فصل5
  • بررسی سیستمهایCDMA باند وسیع و مقایسه با نسل دوم
  • مقدمه ای بر CDMA باند وسیع
  • گسترده سازی در CDMA
  • رابطهای هوایی و تخصیص طیف برای نسل سوم
  • جزئیات استاندارد W-CDMA کره جنوبی
  • کانالهای ارتباطی در W-CDMA
  • کانالهای لینک معکوس در W-CDMA
  • کانالهای لینک پیش رو در W-CDMA
  • مدل سیستمهای CDMA باند وسیع
  • ساختار فرستنده CDMA باند وسیع
  • کنترل توان در WCDMA
  • زدیکی CDMA
  • تعویض کانال نرم و نرمتر
  • تعویض کانال سخت بین فرکانسی
  • تعویض کانال سخت بین سیستمی
  • تفاوتهای نسل دوم وWCDMA


خرید و دانلود پـــایان نامه بررسی ساختار نسلهای موبایل ( اول، دوم و سوم)

افزایش ممبر و بازدید واقعی .

لطفا اول متن زیر را با دقت بخوانید

شاید در خیلی سایت ها و حتی سایت خودمان پکیج فیک ممبر دیده باشید و از ان استفاده کردید و با استفاده از ممبر فیک ها ارزش کانالتون بالا بردین اما با خود میگویید خب من الان کانالم با ممبر فیک زیاد شده هست چطوری بتونم محصولات خود را درچنل بذارم و یک جورایی تبلیغ کنم و ممبر های واقعی ان ها راببیند و از ان استفاده یا دانلود کند ممبر فیک که نمیتواند!

هشدار:دیگر دنبال فیک ممبر نباشید بزودی تمامی فیک ممبرها طبق قانون تلگرام دلیت اکانت و حذف خواهد شد مراقب باشید پس راه حل همین پکیج میباشد

 

خرید و دانلود افزایش ممبر و بازدید واقعی  .

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

مشخصات مقاله:

دسته : مهندسی برق و الکترونیک

عنوان پایان نامه : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

قالب بندی : word

قیمت: 2800 تومان

شرح مختصر: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود . این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده میکند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت.

فهرست:

فهرست مقاله:

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لوله های کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولول هی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولوله های کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولوله ی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی

چگالی حالات در نانولوله ی کربنی


خرید و دانلود پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی