تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره

دراین مقاله، ما ترانزیستور تکالکترونی 1  SET مبتنی بر جزایر از جنس نقطهی کوانتومی 2  QD ( نیمه هادی)سیلیکونی را برای عملکرد در دمای اتاق مدلسازی میکنیم و نشان میدهیم که کوچک شدن اندازه جزیره کوچکتراز 11 نانومتر درترانزیستور تکالکترونی 3 SET  باعث میشود که این نانو ترانزیستور قابلیت استفاده در دمای اتاق را داشته باشد. بنابراین کوچک شدن اندازه جزیره نتایجی از قبیل گسسته شدن سطوح انرژی  QD با سطوح انرژی گسسته و همچنین اثر کوپل شدن 4 QD به اتصالات فلزی که سبب پهنشدگی سطوح انرژی میشود را در پی خواهد داشت که ما اثرات این دو پیامد را بر عملکرد SET مورد بررسی قرار خواهیم داد. ما برای سطوح انرژی گسسته، مقادیر متفاوتی را در نظر گرفته و نشان خواهیم داد که نرخ جریان تونلزنی برای هر سطح انرژی متفاوت خواهد بود. در نتیجه برای بهدست آوردن این تفاوت در میزان نرخ تونل زنی، یک عبارت برای نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می آوریم و بر مبنای آن مشخصات هدایت مربوط به SET مبتنی بر QD سیلیکونی را شبیهسازی و مورد تحلیل قرار میدهیم و همچنین با استفاده از شبیهساز سیمون 5 ، مشخصات رسانایی را برای SET مورد نظر و در ولتاژهای بایاس اعمالی متفاوت شبیهسازی میکنیم.