سمینار شبیه سازی نیروگاه خورشیدی
این فایل یک سمینار آماده برای ارایه در کلاس درس می باشد. موضوع مورد بررسی در آن شبیه سازی نیروگاه خورشیدی است.
در این پاورپوینت از افکت های جالبی استفاده شده است.
این پاورپوینت شامل معرفی موضوع ،معرفی سلول خورشیدی،سیستم ردیاب حداکثر توان MPPT،اینورتر،ترانسفوماتور،شبیه سازی،...، نتیجه گیری و پیشنهاد است.
این رساله برای دانشجویان و محققانی که در زمینه طراحی و ساخت سلول های خورشیدی سیلیکونی فعالیت دارند سودمند است. در این رساله مراحل ساخت این نوع سلول ها و دو روش افزایش راندمان آنها شرح داده شده: تکسچرینگ یا ایجاد بافت سطحی و لایه نشانی نیترید سیلیکون.
تکسچرینگ با استفاده از محلول های قلیایی روی نمونه های مختلف انجام شده و با بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی سطح سلول ها، به بررسی شرایط متفاوت آزمایش ها پرداخته شده است. برای نشاندن نیترید سیلیکون از PECVD مستقیم دانشگاه تهران استفاده شده و نمونه های بسیاری تحت شرایط مختلف لایه نشانی شدند. همچنین خواص لایه نیترید سیلیکون و روش های مختلف ساخت آن و نیز روش های اندازه گیری خواص لایه بیان شده است. در پایان نتایج حاصل از آزمایش ها توسط طیف سنجی مادون قرمز FTIR و الیپسومتری بررسی شده و وابستگی خواص لایه به شرایط لایه نشانی مورد بحث قرار گرفته است.
این مطلب در 6 فصل گردآوری شده است:
محقق: سوزیا رهبردهقان
سال انتشار: 1393
تعداد صفحات: 135
فرمت فایل ها: PDF
حجل فایل ها: 6.5 MB
در صورت نیاز به هر مقاله علمی (ISI) لطفا نام آن را به آدرس زیر ایمیل بزنید تا پس از 24 ساعت مقاله مورد نظر را در محصولات فروشگاه در قسمت مقالات لاتین برای دانلود و استفاده شما قرار دهیم.
Email: kamrani.farzin@gmail.com
Mobile: 09368098829
عنوان مقاله: بهبود پارامترهای سلول خورشیدی فیلم نازک CdS/CdTe به کمک اثر میدان
قالب بندی: word
شرح مختصر:
سلولهای خورشیدی فیلم نازک CdTe مدتهاست که به خاطر بازده بالا و هزینه ساخت کم مورد توجه جهانی قرار گرفته اند. در یک سلول خورشیدی CdS/CdTe با توجه به عرض ناحیه تخلیه پیوند، حاملهای الکتریکی تولید شده در فواصل بیشتر از1 از فصل مشترک لایه CdTe و CdS نقش بسیار کمی در مکانیسم هدایت الکتریکی بازی میکنند. از این رو کاهش ضخامت لایه CdTe به منظور کاهش ماده مصرفی و همچنین کاهش تلفات بازترکیب امری حائز اهمیت است. از سوی دیگر، با کاهش ضخامت لایه CdTe احتمال بازترکیب سطحی حاملها در اتصال پشتی افزایش مییابد و باعث افت پارامترهای سلول میشود. بنابراین در تعیین ضخامت بهینه لایه جاذب CdTe باید ملاحظات دقیقی صورت گیرد. در این مقاله با قرار دادن ماده ای با انرژی شکاف باند بزرگ ZnTe)) در اتصال پشتی و ایجاد میدان الکتریکی، امکان کاهش ضخامت لایه جاذب CdTe به1 و در عین حال غلبه بر بازترکیب سطحی در اتصال پشتی فراهم میشود.