سلول های خورشیدی سیلیکونی: تکسچرینگ و لایه نشانی نیترید سیلیکون
این رساله برای دانشجویان و محققانی که در زمینه طراحی و ساخت سلول های خورشیدی سیلیکونی فعالیت دارند سودمند است. در این رساله مراحل ساخت این نوع سلول ها و دو روش افزایش راندمان آنها شرح داده شده: تکسچرینگ یا ایجاد بافت سطحی و لایه نشانی نیترید سیلیکون.
تکسچرینگ با استفاده از محلول های قلیایی روی نمونه های مختلف انجام شده و با بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی سطح سلول ها، به بررسی شرایط متفاوت آزمایش ها پرداخته شده است. برای نشاندن نیترید سیلیکون از PECVD مستقیم دانشگاه تهران استفاده شده و نمونه های بسیاری تحت شرایط مختلف لایه نشانی شدند. همچنین خواص لایه نیترید سیلیکون و روش های مختلف ساخت آن و نیز روش های اندازه گیری خواص لایه بیان شده است. در پایان نتایج حاصل از آزمایش ها توسط طیف سنجی مادون قرمز FTIR و الیپسومتری بررسی شده و وابستگی خواص لایه به شرایط لایه نشانی مورد بحث قرار گرفته است.
این مطلب در 6 فصل گردآوری شده است:
- فصل اول - تاریخچه و کارکرد سلول های خورشیدی
- فصل دوم - بررسی خواص لایه نیترید سیلیکون و روش ساخت آن
- فصل سوم - تکسچرینگ
- فصل چهارم - دوپینگ فسفر
- فصل پنجم - لایه نشانی نیترید سیلیکون و روش های اندازه گیری خواص لایه
- فصل ششم - نتایج و بحث
محقق: سوزیا رهبردهقان
سال انتشار: 1393
تعداد صفحات: 135
فرمت فایل ها: PDF
حجل فایل ها: 6.5 MB
در صورت نیاز به هر مقاله علمی (ISI) لطفا نام آن را به آدرس زیر ایمیل بزنید تا پس از 24 ساعت مقاله مورد نظر را در محصولات فروشگاه در قسمت مقالات لاتین برای دانلود و استفاده شما قرار دهیم.
Email: kamrani.farzin@gmail.com
Mobile: 09368098829
پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
مشخصات مقاله:
دسته : مهندسی برق و الکترونیک
عنوان پایان نامه : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
قالب بندی : word
قیمت: 2800 تومان
شرح مختصر: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود . این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده میکند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت.
فهرست:
فهرست مقاله:
مقدمه
مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
مقدمه
گونه های مختلف کربن در طبیعت
کربن بیشکل
الماس
گرافیت
فلورن و نانو لوله های کربنی
ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی
بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی
ساختار الکترونی کربن
اربیتال p کربن
روش وردشی
هیبریداسون اربیتالهای کربن
ساختار هندسی گرافیت و نانولول هی کربنی
ساختار هندسی گرافیت
ساختار هندسی نانولوله های کربنی
یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی
یاختهی واحد صفحهی گرافیت
یاخته واحد نانولوله ی کربنی
محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی
مولکولهای محدود
ترازهای انرژی گرافیت
ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی
چگالی حالات در نانولوله ی کربنی